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특허-제10-1455283호
2024.10.24 09:54- 작성자 관리자
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패시베이션막 형성방법 및 이를 포함하는 AIGaN/GaN HFET의 제조 방법
- 파일1 1455283 특허.png (파일크기 : 1.3M / 다운로드 : 19)
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